Thứ Hai, 20 tháng 12, 2010

Pin mặt trời màng mỏng trên cơ sở CIGS đạt trên 20% hiệu suất

Các nhà khoa học tại Trung tâm Nghiên cứu Năng lượng mặt trời và Hydro (ZSW) tại Stuttgart, CHLB Đức đã đạt được một kết quả rất đáng chú ý khi nâng hiệu suất pin mặt trời màng mỏng lên 20.3%. Với hiệu suất này, họ vượt qua kỷ lục thế giớicủa chính họ và giảm 0.1% khoảng cách so với pin mặt trời trên cơ sở silic đa tinh thể đang thống trị thị trường.

Tấm pin mặt trời có diện tích 0.5 cm2. Lớp bán dẫn CIGS và các lớp tiếp xúc khác có tổng chiều dầy cỡ 4-5 micromet nghĩa là mỏng hơn cỡ 50 lần so với các pin truyền thống (trên cơ sở silíc). making them 50 times thinner than standard silicon cells. Tiến sỹ Michael Powalla, thành viên của ban Giám đốc, trưởng bộ phận nghiên cứu pin mặt trời của ZSW cho biết “các nhà khoa học đã chế tạo được các pin trong phòng trải màng CIGS sử dụng các quy trình đồng bốc bay tùy biến theo đó nguyên lý và kỹ thuật này sẽ được thương mại hóa. Tuy nhiên cũng cần phải một thời gian nữa”. Viện Nghiên cứu Fraunhofer ISE tại Freiburg, Germany đã xác nhận kết quả mới này.

Những nghiên cứu tiên tiến và chuyên nghiệp hóa trong sản xuất sẽ làm tăng hiệu suất của các mô đun pin mặt trời. Dự kiến trong năm 2011, hiệu suất của các môđun mặt trời giá rẻ trên cơ sở CIGS sẽ tang lên từ 11 đến 15%. Điều này làm tang công suất lối ra và dĩ nhiên thời gian thu hồi vốn sẽ được rút ngắn. Các chuyên gia cho rằng, pin mặt trời trên cơ sở màng mỏng CIGS đang đối mặt với một cơ hội tuyệt vời trên thị trường pin mặt trời nói chúng. So với 2008, thị phần của loại pin này vào năm 2012 sẽ hy vọng tang gấp đôi, ước đạt 30%.
ZSW là viện nghiên cứu hàng đầu nước Đức về pin mặt trời, phân tích hệ thống năng lượng, pin nhiên liệu tái tạo, công nghệ ắc quy… Chi tiết vui lòng xem tại đây http://www.zsw-bw.de.

Không có nhận xét nào:

Đăng nhận xét

các bạn nhận xét không ghi lung tung! những thông tin thiếu chính xác!